垂直共振器型半導体発光素子、発光装置、光ディスク装置、記録装置、及びエッチング方法

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	垂直共振器型半導体発光素子、発光装置、光ディスク装置、記録装置、及びエッチング方法
其他题名	垂直共振器型半導体発光素子、発光装置、光ディスク装置、記録装置、及びエッチング方法
	横川俊哉; 吉井重雄
	1998-06-09
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	1998-06-09
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】低しきい値電流密度で発振する垂直共振器型半導体発光素子を提供する。【解決手段】 Siドープn型GaAs基板11の上に、Clドープn型ZnMgSSeエピタキシャル層12、ZnCdSe井戸層及びZnSSeバリア層からなる多重量子井戸層13、Nドープp型ZnMgSSeエピタキシャル層14、Clドープn型ZnSSeエピタキシャル層15、Nドープp型ZnSSeエピタキシャル層16、多結晶SiO2層及び多結晶TiO2層からなるミラー17n及び17p、及びp型AuPd電極18を形成する。また、基板11の裏面には、レーザ光を出射するための窓11aを設けるとともに、n型AuGeNiPd電極19を形成する。Clドープn型ZnSSeエピタキシャル層15を電流ブロック層及び光閉じ込め層として機能させることにより、低しきい値電流密度及び長寿命が達成される。また、効果的な光閉じ込めが実現されて、単一横モードレーザ発振が得られる。
其他摘要	要解决的问题：提供一种垂直谐振器型半导体发光元件，其以低阈值电流密度振荡。解决方案：在Si掺杂的n型GaAs衬底11上，由Cl掺杂的n型ZnMgSSe外延层12，ZnCdSe阱层和ZnSSe阻挡层组成的多量子阱层13，N掺杂的p型ZnMgSSe外延层14，Cl掺杂的n型ZnSSe外延层15，N掺杂的p型ZnSSe外延层16，由多晶SiO2层和多晶TiO 2层构成的反射镜17n和17p，以及p型形成AuPd电极。此外，在基板11的后表面上，设置窗口11a以发射激光，同时形成n型AuGeNiPd电极19。由于外延层15用作电流阻挡层和光限制层，垂直谐振型半导体发光元件的阈值电流密度降低并且元件的使用寿命延长。另外，可以实现有效的光限制并且可以获得单模激光振荡。
主权项	-
申请日期	1997-02-27
专利号	JP1998154850A
专利状态	失效
申请号	JP1997044296
公开（公告）号	JP1998154850A
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01L33/12 \| H01L33/08 \| H01L33/06 \| H01S5/00 \| H01L33/28 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	山本秀策
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67785
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	横川俊哉,吉井重雄. 垂直共振器型半導体発光素子、発光装置、光ディスク装置、記録装置、及びエッチング方法. JP1998154850A[P]. 1998-06-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998154850A.PDF（107KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文