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半導体レーザ装置、光ピックアップ装置および光学記録媒体駆動装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4731148B2, 申请日期: 2011-04-28, 公开日期: 2011-07-20
发明人:  別所 靖之
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4726572B2, 申请日期: 2011-04-22, 公开日期: 2011-07-20
发明人:  井上 大二朗;  畑 雅幸;  別所 靖之
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半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010258467A, 申请日期: 2010-11-11, 公开日期: 2010-11-11
发明人:  畑 雅幸;  別所 靖之;  野村 康彦;  庄野 昌幸;  梶山 清治;  土屋 洋一
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010062245A, 申请日期: 2010-03-18, 公开日期: 2010-03-18
发明人:  大保 広樹;  畑 雅幸;  別所 靖之;  久納 康光
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010056105A, 申请日期: 2010-03-11, 公开日期: 2010-03-11
发明人:  別所 靖之
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半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010016095A, 申请日期: 2010-01-21, 公开日期: 2010-01-21
发明人:  畑 雅幸;  別所 靖之
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窒化物系半導体素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009123939A, 申请日期: 2009-06-04, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  別所 靖之;  竹内 邦生;  久納 康光
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009124119A, 申请日期: 2009-06-04, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  別所 靖之
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半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009027149A, 申请日期: 2009-02-05, 公开日期: 2009-02-05
发明人:  別所 靖之;  大保 広樹;  畑 雅幸
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半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008252069A, 申请日期: 2008-10-16, 公开日期: 2008-10-16
发明人:  畑 雅幸;  久納 康光;  別所 靖之
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