半導体レーザ装置およびその製造方法

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	半導体レーザ装置およびその製造方法
其他题名	半導体レーザ装置およびその製造方法
	別所靖之; 大保広樹; 畑雅幸
	2009-02-05
专利权人	三洋電機株式会社
公开日期	2009-02-05
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】内部構造を簡素化することが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】この半導体レーザ装置100は、n型GaAs基板51の表面上に形成され、n型GaAs基板51からn型AlGaAsクラッド層11、活性層12およびp型AlGaAsクラッド層13を積層した赤外半導体レーザ素子10と、n型AlGaInPクラッド層21、活性層22およびp型AlGaInPクラッド層23を積層した赤色半導体レーザ素子20と、n型AlGaNクラッド層41、活性層42およびp型AlGaNクラッド層43を積層した青紫色半導体レーザ素子40とを備え、n型AlGaNクラッド層41側が、融着層60を介してn型GaAs基板51の表面上に接合されることにより、n型AlGaNクラッド層41は、n型AlGaAsクラッド層11およびn型AlGaInPクラッド層21と電気的に接続されている。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供能够简化内部结构的半导体激光器件。ŽSOLUTION：在包括红外半导体激光器件10的n型GaAs衬底51的表面上形成的半导体激光器件100，其中n型AlGaAs包层11，有源层12和p型AlGaAs包层从n型GaAs衬底51，红外半导体激光器件20，其中堆叠n型AlGaInP覆层21，有源层22和p型AlGaInP覆层23，以及紫罗兰半导体堆叠层13激光器件40，其中堆叠n型AlGaN包层41，有源层42和p型AlGaN包层43，其中n型AlGaN包层41电连接到n型AlGaAs包层通过使n型AlGaN包层41侧通过熔合层60结合到n型GaAs基板51的表面上，可以形成图11所示的n型AlGaInP包层21。
申请日期	2008-06-05
专利号	JP2009027149A
专利状态	失效
申请号	JP2008148021
公开（公告）号	JP2009027149A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/026 \| H01S5/022 \| H01S5/00
专利代理人	宮園博一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81808
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三洋電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	別所靖之,大保広樹,畑雅幸. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2009027149A[P]. 2009-02-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2009027149A.PDF（661KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文