半導体レーザ素子およびその製造方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザ素子およびその製造方法
其他题名	半導体レーザ素子およびその製造方法
	別所靖之
	2010-03-11
专利权人	SANYO ELECTRIC CO LTD
公开日期	2010-03-11
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】集積型の多波長半導体レーザ素子において、各々の半導体レーザ素子を構成する共振器端面が共振器方向にずれるのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】この3波長半導体レーザ素子100は、n型GaN基板11上に形成された共振器端面10aを有する青紫色半導体レーザ素子10と、青紫色半導体レーザ素子10の共振器端面10aと略同一面内に形成された共振器端面50aおよび70aを有する赤色半導体レーザ素子50および赤外半導体レーザ素子70とを備え、青紫色半導体レーザ素子10は、光導波路領域を除く領域に共振器端面10aの延びる方向に延びる段差部10bおよび10cを有し、赤色半導体レーザ素子50および赤外半導体レーザ素子70は、それぞれの光導波路領域を除く領域に、共振器端面50aおよび70aの延びる方向に延びる段差部50bおよび70bを有する。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供一种集成的多波长半导体激光元件，其能够防止构成半导体激光元件的每个谐振器的端面在谐振器方向上移位。ΣSOLUTION：该三波长半导体激光元件100包括：蓝紫色半导体激光元件10，具有形成在n型GaN衬底11上的谐振器端面10a;红色半导体激光元件50和红外半导体激光元件70具有谐振器端面50a和70a，谐振器端面50a和70a形成在与蓝紫色半导体激光元件10的谐振器端面10a基本相同的平面中。在半导体激光元件中，蓝紫色半导体激光元件10具有台阶10b，10c，台阶10b，10c在除光波导区域之外的区域中沿谐振器端面10a的延伸方向延伸。红色半导体激光元件50和红外半导体激光元件70具有台阶50b和70b，台阶50b和70b分别在谐振器端面50a和70a的延伸方向上在除光波导区域之外的区域中延伸。Ž
申请日期	2008-08-26
专利号	JP2010056105A
专利状态	失效
申请号	JP2008216186
公开（公告）号	JP2010056105A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/40
专利代理人	宮園博一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87906
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SANYO ELECTRIC CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	別所靖之. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2010056105A[P]. 2010-03-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2010056105A.PDF（447KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文