半導体レーザ装置

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	半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置
	大保広樹; 畑雅幸; 別所靖之; 久納康光
	2010-03-18
专利权人	SANYO ELECTRIC CO LTD
公开日期	2010-03-18
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】半導体レーザ素子部への熱的および機械的な影響が大きくなるのを抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】この半導体レーザ装置100は、n型GaN基板11およびn型クラッド層12と、活性層13と、p型クラッド層14とが順に形成された青紫色半導体レーザ素子部10と、青紫色半導体レーザ素子部10の上面に接合され、青紫色半導体レーザ素子部10側からp型クラッド層21および31と、活性層22および32と、n型クラッド層23および33とが順に積層する赤色半導体レーザ素子部20および赤外半導体レーザ素子部30と、n型GaN基板11およびn型クラッド層12側とn型クラッド層23および33とを上面側から電気的に接続する導電膜5および9と導電材17aおよび17bとコンタクト電極層17cおよび17dとを備える。【選択図】図2
其他摘要	要解决的问题：提供一种半导体激光器件，可以抑制对半导体激光器元件的更大的热和机械影响。ŽSOLUTION：半导体激光装置100包括蓝紫色半导体激光元件10，其中依次形成n型GaN基板11，n型覆层12，有源层13和p型覆层14红色半导体激光元件20和红外半导体激光元件30粘接在蓝紫色半导体激光元件10的上表面上，并具有p型包层21和31，有源层22和32，以及n型包层从蓝紫色半导体激光元件10侧依次层叠的层23和33，导电膜5和9，导电材料17a和17b，以及用于电连接n型侧的接触电极层17c和17dGaN衬底11和n型覆层12，以及从上表面侧的n型覆层23和33。Ž
申请日期	2008-09-02
专利号	JP2010062245A
专利状态	失效
申请号	JP2008224656
公开（公告）号	JP2010062245A
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01S5/00
专利代理人	宮園博一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79165
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SANYO ELECTRIC CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	大保広樹,畑雅幸,別所靖之,等. 半導体レーザ装置. JP2010062245A[P]. 2010-03-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2010062245A.PDF（228KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文