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3族窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3717255B2, 申请日期: 2005-09-09, 公开日期: 2005-11-16
发明人:  永井 誠二;  山崎 史郎;  小池 正好;  冨田 一義;  加地 徹
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995142811A, 申请日期: 1995-06-02, 公开日期: 1995-06-02
发明人:  加藤 久弥;  久野 裕也;  冨田 一義;  加納 浩之
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995142810A, 申请日期: 1995-06-02, 公开日期: 1995-06-02
发明人:  加藤 久弥;  久野 裕也;  冨田 一義;  加納 浩之
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