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半導体発光装置及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3936109B2, 申请日期: 2007-03-30, 公开日期: 2007-06-27
发明人:  窪田 晋一;  堀野 和彦;  倉又 朗人
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光半導体装置、その製造方法、および半導体ウェハ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000040858A, 申请日期: 2000-02-08, 公开日期: 2000-02-08
发明人:  倉又 朗人;  窪田 晋一;  堀野 和彦;  副島 玲子
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半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999340580A, 申请日期: 1999-12-10, 公开日期: 1999-12-10
发明人:  堂免 恵;  倉又 朗人;  窪田 晋一;  副島 玲子
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999097803A, 申请日期: 1999-04-09, 公开日期: 1999-04-09
发明人:  倉又 朗人
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998051070A, 申请日期: 1998-02-20, 公开日期: 1998-02-20
发明人:  倉又 朗人
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996316571A, 申请日期: 1996-11-29, 公开日期: 1996-11-29
发明人:  倉又 朗人
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996056054A, 申请日期: 1996-02-27, 公开日期: 1996-02-27
发明人:  倉又 朗人
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995326817A, 申请日期: 1995-12-12, 公开日期: 1995-12-12
发明人:  倉又 朗人
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半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995321412A, 申请日期: 1995-12-08, 公开日期: 1995-12-08
发明人:  鬼頭 泰浩;  古谷 章;  須藤 久男;  倉又 朗人;  堀野 和彦
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短波長発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995131118A, 申请日期: 1995-05-19, 公开日期: 1995-05-19
发明人:  倉又 朗人;  山崎 進;  篠原 宏爾;  堀野 和彦;  菅原 充
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