Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 倉又 朗人 | |
| 1998-02-20 | |
| 专利权人 | FUJITSU LTD |
| 公开日期 | 1998-02-20 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 短波長光の発振に適したGaN系半導体を用いた半導体レーザに関し、p型電極のコンタクト抵抗が低いGaN系半導体レーザを提供することである。 【解決手段】 GaNを少なくとも成分として含むGaN系半導体を用い、活性層、n型クラッド層、p型クラッド層を含むレーザ構造と、前記p型クラッド層上に形成され、p型InNまたはp型Inx Ga1-x N(x>0.2)で形成されたp型コンタクト層とを有する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：为了获得低接触电阻，通过在p型包覆层上提供由p型InN半导体或p型In-Ga-N基半导体形成的p型接触层。激光器结构包括有源层，n型覆层和使用GaN基半导体的p型覆层。解决方案：在半导体激光器中，接触层在p型Inx Ga1-x N中具有x> 0.2的成分。此外，在激光器中，Si掺杂的n型GaN缓冲层2，Si掺杂的n型Al0.15 Ga0.85 N包层3，Si掺杂n型GaN光限制层4，未掺杂InGaN多量子阱（MQW）有源层5，Mg掺杂p型GaN光限制层如图6所示，Mg掺杂的p型Al0.15Ga0.85N包层7，Mg掺杂的p型接触层8，具有逐渐增加的In组分的p型InGaN倾斜组合物层9和Mg在衬底1上依次生长掺杂的p型InN接触层10.具有梯度增加的In组分的p型InGaN倾斜组合物层9降低了Mg掺杂的p型接触层8和Mg掺杂的p型InN接触层10可以获得低接触电阻。 |
| 申请日期 | 1996-07-29 |
| 专利号 | JP1998051070A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996199390 |
| 公开（公告）号 | JP1998051070A |
| IPC 分类号 | H01L33/34 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/12 | H01L33/16 | H01L33/06 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 高橋 敬四郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80711 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉又 朗人. 半導体レーザ. JP1998051070A[P]. 1998-02-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998051070A.PDF（29KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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