Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 倉又 朗人 | |
| 1995-12-12 | |
| 专利权人 | FUJITSU LTD |
| 公开日期 | 1995-12-12 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 バンドギャップを大きくする組成を採用しても,クラッド層のキャリア濃度を大きくする。 【構成】 1)II-VI 族化合物半導体を用いて構成される発光素子であって,p型クラッド層がMg, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni の少なくとも1つの元素を含む材料からなる超格子構造である,2)超格子構造を構成する2つの層の内,少なくとも片方の層のみにp型不純物がドーピングされている,3)超格子構造がMgx Zn1-x Sy Se1-y /Mgx'Zn1-x' Se1-y' ,4)前記4に記載のMgの代わりに,Ca,Sc,Ti, V,Cr,Mn,Fe,Co,Niの内のいずれか1つの元素で構成される,5)p型不純物がN, P, As,Sb, Bi, Li, Na, K, Rb,Csの少なくとも1つの元素である。 |
| 其他摘要 | 目的：为了增加包层中的P型载流子浓度，通过将P型包层构成为由包含选自Mg，Ca，Sc，Ti，V，Cr，Mn中的至少一种元素的材料构成的超晶格结构，Fe，Co和Ni。构成：半导体发光元件由以下部分组成： N-GaAs衬底1，N-MgZnSSe包层2，N-ZnSe光导层3，CdZnSe有源层4，P型ZnSe光导层5，P型MgZnSSe / ZnSSe超晶格包层层6A，P-ZnSSe层7，P-ZnSe接触层8，绝缘膜9，Au电极10和In电极1对于P型超晶格包覆层6A，其中P-MgxZn1 xSySe1-y（厚度为20Ang，x = 0-0.40，y = 0.06-0.56）和P-ZnSySe1-y（厚度为20Ang，y = 0.06）。氮用作掺杂材料，利用该掺杂材料均匀地掺杂超晶格结构。 |
| 申请日期 | 1994-06-01 |
| 专利号 | JP1995326817A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994119950 |
| 公开（公告）号 | JP1995326817A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 井桁 貞一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86594 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉又 朗人. 半導体発光素子. JP1995326817A[P]. 1995-12-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995326817A.PDF（33KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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