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Material removal behaviour in axial ultrasonic assisted scratching of Zerodur and ULE with a Vickers indenter 期刊论文
Ceramics International, 2020
作者:  Sun, Guoyan;  Shi, Feng;  Zhao, Qingliang;  Ma, Zhen;  Yang, Donglai
Adobe PDF(7120Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：225/1  |  提交时间：2020/03/23
Axial ultrasonic vibration  Grinding  Scratching  Material removal behaviour  Glass ceramics  
Force prediction model considering material removal mechanism for axial ultrasonic vibration-assisted peripheral grinding of Zerodur 期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF ADVANCED MANUFACTURING TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 98, 期号: 43355, 页码: 2775-2789
作者:  Sun, Guoyan;  Zhao, Lingling;  Ma, Zhen;  Zhao, Qingliang
Adobe PDF(4180Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：164/1  |  提交时间：2018/10/23
Grinding Force Model  Ultrasonic Vibration  Zerodur  Brittle Material  Brittle-ductile Transition  Material Removal Mechanism  
Effects of Cu on properties of vitrified bond and vitrified CBN composites 期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF REFRACTORY METALS & HARD MATERIALS, 2015, 卷号: 50, 页码: 269-273
作者:  Feng, Dandan;  Wu, Weijie;  Wang, Pengfei;  Zhu, Yumei;  Zhai, Chenxi;  Li, Zhihong
Adobe PDF(698Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：256/2  |  提交时间：2015/07/20
Cubic Boron Nitride (C-bn)  Vitrified Bond  Thermal Properties  Mechanical Properties  
OSA Topical Conference:The 4th Advances in Optoelectronics and Micro/nano-optics 会议录
, Xi’an, China, 2014-09
会议录编者:  AOM Committees
Adobe PDF(4709Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：307/0  |  提交时间：2016/01/26
Fabrication of high thermal conductive Al-cBN ceramic sinters by high temperature high pressure method 期刊论文
SOLID STATE SCIENCES, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1041-1046
作者:  Wang, P. F.;  Li, Zh. H.;  Zhu, Y. M.
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High Temperature High Pressure Sintering  Cubic Boron Nitride  Thermal Conductivity  Heat Sink Materials  
Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1496551A2, 申请日期: 2005-01-12, 公开日期: 2005-01-12
发明人:  ONO, MASATO
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Group-III nitride semiconductor light-emitting device and manufacturing method for the same 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20010036678A1, 申请日期: 2001-11-01, 公开日期: 2001-11-01
发明人:  UDAGAWA, TAKASHI
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2804544B2, 申请日期: 1998-07-17, 公开日期: 1998-09-30
发明人:  林 伸彦
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995176820A, 申请日期: 1995-07-14, 公开日期: 1995-07-14
发明人:  鴫原 君男;  藤原 正敏
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994037403A, 申请日期: 1994-02-10, 公开日期: 1994-02-10
发明人:  鴫原 君男;  青柳 利隆
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