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半導体レーザ装置
其他题名半導体レーザ装置
鴫原 君男; 青柳 利隆
1994-02-10
专利权人三菱電機株式会社
公开日期1994-02-10
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【目的】 モニタ電流の経時変化の少ない半導体レーザ装置を実現する。 【構成】 半導体レーザ素子3をサブマウント2に搭載するためのスズ膜10を、同じ厚さの金膜11,12,13で囲んで、該半導体レーザ素子3のダイボンド時に膜10,11,12による金スズ系のハンダが半導体レーザ1後端面にはみ出さないようにした。 【効果】 半導体レーザの後端面から出射される光がハンダによって散乱されることがないので、モニタ電流の経時変化が少ない,高信頼性の半導体レーザ装置が実現できる。
其他摘要[目的]实现一种半导体激光器件,其监测电流随时间变化较小。 用于将半导体激光元件安装在基座上的锡膜被具有相同厚度的金膜包围,并且当半导体激光元件的膜被芯片键合时,为了防止金锡基焊料突出到半导体激光器1的后端面。 由于从半导体激光器的后端面发射的光不被焊料散射,因此可以实现高度可靠的半导体激光器件,其中监视器电流随时间的变化很小。
申请日期1992-07-14
专利号JP1994037403A
专利状态失效
申请号JP1992211017
公开(公告)号JP1994037403A
IPC 分类号H01L21/52 | H01R4/02 | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人早瀬 憲一
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71137
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱電機株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
鴫原 君男,青柳 利隆. 半導体レーザ装置. JP1994037403A[P]. 1994-02-10.
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