中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN202010651681.3, 申请日期: 2021-10-15, 公开日期: 2020-11-27
发明人:  冯润东;  张文伟
Adobe PDF(411Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2021/11/23
基底的晶向和氧化层厚度对坡莫合金薄膜的影响 期刊论文
真空科学与技术学报, 2021, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: 941-945
作者:  冯润东;  张文伟
Adobe PDF(962Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：172/1  |  提交时间：2022/03/10
各向异性磁电阻  NiFe薄膜  基底  磁控溅射  X射线衍射  
磁控溅射制备各向异性磁电阻的工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2021
作者:  冯润东
Adobe PDF(5964Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：139/1  |  提交时间：2021/06/18
各向异性磁阻  磁控溅射  传感器