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一种X射线分幅相机分幅变像管及封接方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201811615970.7, 申请日期: 2018-12-27, 公开日期: 2019-04-05
发明人:  朱炳利;  白永林;  杨阳;  秦君军;  缑永胜;  白晓红;  刘百玉;  王博;  徐鹏;  曹伟伟;  陈震
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一种瓣状电极及制造方法、产生均匀电场的方法、变像管 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201810972834.7, 申请日期: 2018-08-24, 公开日期: 2019-01-18
发明人:  王超;  张志军;  白永林;  王屹山;  赵卫;  田进寿;  徐鹏;  王向林
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Visible-extended mid-infrared wide spectrum detector based on InAs/GaSb type-II superlattices (T2SL) 期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 89, 页码: 147-153
作者:  Guo, Chunyan;  Sun, Yaoyao;  Jia, Zhe;  Jiang, Zhi;  Lv, Yuexi;  Hao, Hongyue;  Han, Xi;  Dong, Yinan;  Jiang, Dongwei;  Wang, Guowei;  Xu, Yingqiang;  Wang, Tao;  Tian, Jinshou;  Wu, Zhaoxin;  Niu, Zhichuan
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Wide Spectrum Detector  Microstructure  Inas/gasb Type-ii Superlattice  Photon Traps  
High resolution electron bombareded complementary metal oxide semiconductor sensor for ultraviolet detection 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2018, 卷号: 67, 期号: 1
作者:  Liu Hu-Lin;  Wang Xing;  Tian Jin-Shou;  Sai Xiao-Feng;  Wei Yong-Lin;  Wen Wen-Long;  Wang Jun-Feng;  Xu Xiang-Yan;  Wang Chao;  Lu Yu;  He Kai;  Chen Ping;  Xin Li-Wei
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Complementary Metal Oxide Semiconductor  Electron Bombareded Gain  Low Light Level Imaging  Uv Detection  
Surface passivation of 1550nm AlxInyAsSb avalanche photodiode 会议论文
Optoelectronic Devices and Integration VII, Beijing, China, 2018-10-11
作者:  Guo, Chunyan;  Lv, Yuexi;  Zheng, Da'nong;  Sun, Yaoyao;  Jiang, Zhi;  Jiang, Dongwei;  Wang, Guowei;  Xu, Yingqiang;  Wang, Tao;  Tian, Jinshou;  Wu, Zhaoxin;  Niu, Zhichuan
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Alxinyassb Avalanche Photodiode  Surface Passivation  Dark Current  Photocurrent