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基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  王文知;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  王文知;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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一种半导体激光器慢轴准直夹具组件及其应用方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN107275920B, 申请日期: 2019-03-22, 公开日期: 2019-03-22
发明人:  王鑫;  赵懿昊;  吴霞;  王翠鸾;  井红旗;  刘素平;  马骁宇
Adobe PDF(574Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：167/0  |  提交时间：2019/12/24
半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108847575A, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2018-11-20
发明人:  井红旗;  王鑫;  赵懿昊;  袁庆贺;  刘素平;  马骁宇
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半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107230932A, 申请日期: 2017-10-03, 公开日期: 2017-10-03
发明人:  王鑫;  赵懿昊;  朱凌妮;  王翠鸾;  刘素平;  马骁宇
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一种用于激光器无遮挡镀膜的镀膜架装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104037617B, 申请日期: 2016-11-16, 公开日期: 2016-11-16
发明人:  赵懿昊;  王翠鸾;  刘素平;  马骁宇
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一种用于LDA的外腔锁模波长合束装置和方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104134930A, 申请日期: 2014-11-05, 公开日期: 2014-11-05
发明人:  赵懿昊;  王翠鸾;  刘素平;  马骁宇
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