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一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104795730B, 申请日期: 2018-04-10, 公开日期: 2018-04-10
发明人:  林涛;  张浩卿;  孙航;  郭恩民;  孙锐娟
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利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104752954A, 申请日期: 2015-07-01, 公开日期: 2015-07-01
发明人:  林涛;  张浩卿;  孙航;  郭恩民;  孙锐娟
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带有非吸收窗口的大功率半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102891435A, 申请日期: 2013-01-23, 公开日期: 2013-01-23
发明人:  林涛;  张浩卿;  马新尖;  李超;  林楠
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