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中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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发表日期:2015
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利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器及其制作方法
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104752954A, 申请日期: 2015-07-01, 公开日期: 2015-07-01
发明人:
林涛
;
张浩卿
;
孙航
;
郭恩民
;
孙锐娟
Adobe PDF(679Kb)
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浏览/下载:96/0
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提交时间:2019/12/31
Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for lambda > 1.55 mu m laser diodes
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 631, 页码: 283-287
作者:
Lin, Tao
;
Sun, Hang
;
Zhang, Haoqing
;
Wang, Yonggang
;
Lin, Nan
;
Ma, Xiaoyu
Adobe PDF(672Kb)
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浏览/下载:207/1
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提交时间:2015/07/15
Laser Diode
Mocvd
Gaas
Inp
无杂质空位诱导量子阱混杂研究及应用现状
期刊论文
激光与光电子学进展, 2015, 期号: 3, 页码: 24-33
作者:
林涛
;
孙航
;
张浩卿
;
林楠
;
马骁宇
;
王勇刚
Adobe PDF(1384Kb)
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浏览/下载:192/0
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提交时间:2015/12/11
基于SiO_2膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究(英文)
期刊论文
激光与光电子学进展, 2015, 期号: 2, 页码: 195-199
作者:
林涛
;
张浩卿
;
孙航
;
王勇刚
;
林楠
;
马骁宇
Adobe PDF(1191Kb)
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提交时间:2015/12/11