中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101809833B, 申请日期: 2012-05-30, 公开日期: 2012-05-30
发明人:  广山良治;  三宅泰人;  久纳康光;  别所靖之;  畑雅幸
Adobe PDF(5061Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2019/12/26
半导体激光装置及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1744398B, 申请日期: 2012-02-15, 公开日期: 2012-02-15
发明人:  畑雅幸;  别所靖之;  野村康彦;  庄野昌幸
Adobe PDF(2315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2020/01/13
半导体激光元件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101276990B, 申请日期: 2012-02-01, 公开日期: 2012-02-01
发明人:  畑雅幸;  竹内邦生;  德永诚一
Adobe PDF(1588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2019/12/24
半导体激光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101478116B, 申请日期: 2012-01-25, 公开日期: 2012-01-25
发明人:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗
Adobe PDF(1540Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2020/01/13
半导体激光元件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101355232B, 申请日期: 2012-01-11, 公开日期: 2012-01-11
发明人:  广山良治;  野村康彦;  畑雅幸;  三宅泰人
Adobe PDF(1004Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2020/01/13