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基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100447945C, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2008-12-31
发明人:  徐军;  章蓓;  张振生;  代涛
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氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101257080A, 申请日期: 2008-09-03, 公开日期: 2008-09-03
发明人:  胡晓东;  张国义;  章蓓;  杨志坚;  康香宁;  李睿;  陈伟华;  赵璐冰;  李丁
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