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Growth and characterization of InAsSb alloys by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 320-323
作者:  Yan Jun-Feng;  Wang Tao;  Wang Jing-Wei;  Zhang Zhi-Yong;  Zhao Wu
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Metalorganic Chemical Vapour Deposition (Mocvd)  Antimonides  Semiconducting Indium Compounds  
LP-MOCVD growth and characterisation of InAsSb ternary 期刊论文
Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 45-49
作者:  Li XT(李晓婷);  Li XT(李晓婷)
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