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Theoretical and experimental study on responsivity of ultra-fast X-ray semiconductor chip based on the rad-optic effect 期刊论文
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 2023, 卷号: 1049
作者:  Yan, Xin;  Wang, Tao;  Wang, Gang;  Yao, Dong;  Liu, Yiheng;  Gao, Guilong;  Xin, Liwei;  Yin, Fei;  Tian, Jinshou;  Chang, Xinlong;  He, Kai
Adobe PDF(2250Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：149/1  |  提交时间：2023/02/28
X-ray detector  Rad-optic effect  Ultrafast response semiconductor material  Responsivity  Ultrafast measurements  
Theoretical and experimental study on Noise Equivalent Power of X-ray semiconductor ultra-fast response material based on the rad-optic effect 预印本
2022
作者:  Yan, Xin;  Wang, Tao;  Wang, Gang;  Yao, Dong;  Liu, Yiheng;  Gao, Guilong;  Xin, Liwei;  Yin, Fei;  Tian, Jinshou;  Chang, Xinlong;  He, Kai
Adobe PDF(1169Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：111/3  |  提交时间：2022/08/23
用于流场诊断的快速荧光寿命成像系统 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201922276897.1, 申请日期: 2020-10-30,
发明人:  李亚晖;  高贵龙;  何凯;  田进寿
Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：159/2  |  提交时间：2020/12/29
全光固体超快探测芯片和全光固体超快探测器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201921026323.2, 申请日期: 2020-04-03, 公开日期: 2020-04-03
发明人:  汪韬;  高贵龙;  何凯;  闫欣;  田进寿;  李少辉;  尹飞;  辛丽伟
Adobe PDF(407Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：155/8  |  提交时间：2020/12/25
用于流场诊断的快速荧光寿命成像系统及方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201911303203.7, 申请日期: 2019-12-17, 公开日期: 2020-04-17
发明人:  李亚晖;  高贵龙;  何凯;  田进寿
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全光固体超快探测芯片、全光固体超快探测器及其探测方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201910594755.1, 申请日期: 2019-07-03, 公开日期: 2019-11-01
发明人:  汪韬;  高贵龙;  何凯;  闫欣;  田进寿;  李少辉;  尹飞;  辛丽伟
Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：186/9  |  提交时间：2019/12/23
High resolution electron bombareded complementary metal oxide semiconductor sensor for ultraviolet detection 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2018, 卷号: 67, 期号: 1
作者:  Liu Hu-Lin;  Wang Xing;  Tian Jin-Shou;  Sai Xiao-Feng;  Wei Yong-Lin;  Wen Wen-Long;  Wang Jun-Feng;  Xu Xiang-Yan;  Wang Chao;  Lu Yu;  He Kai;  Chen Ping;  Xin Li-Wei
Adobe PDF(1409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：428/11  |  提交时间：2018/12/11
Complementary Metal Oxide Semiconductor  Electron Bombareded Gain  Low Light Level Imaging  Uv Detection