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GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110224299A, 申请日期: 2019-09-10, 公开日期: 2019-09-10
发明人:  赵勇明;  杨国文;  张艳春;  赵卫东
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基于GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110212409A, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人:  赵勇明;  杨国文;  张艳春;  赵卫东
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一种分布布拉格反射镜的制备方法及垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110165550A, 申请日期: 2019-08-23, 公开日期: 2019-08-23
发明人:  赵勇明;  杨国文;  张艳春;  赵卫东
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一种VCSEL和APD集成芯片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208782239U, 申请日期: 2019-04-23, 公开日期: 2019-04-23
发明人:  杨晓杰;  宋院鑫;  杨国文;  赵卫东
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一种VCSEL和APD集成芯片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208782239U, 申请日期: 2019-04-23, 公开日期: 2019-04-23
发明人:  杨晓杰;  宋院鑫;  杨国文;  赵卫东
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一种VCSEL和APD集成芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108963750A, 申请日期: 2018-12-07, 公开日期: 2018-12-07
发明人:  杨晓杰;  宋院鑫;  杨国文;  赵卫东
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一种半导体激光器芯片测试固定装置及其方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105467291B, 申请日期: 2018-06-26, 公开日期: 2018-06-26
发明人:  李秀山;  王贞福;  杨国文
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一种半导体激光器腔镜制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104377543A, 申请日期: 2015-02-25, 公开日期: 2015-02-25
发明人:  吴建耀;  宋克昌;  杨国文
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