一种半导体激光器腔镜制备方法

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	一种半导体激光器腔镜制备方法
其他题名	一种半导体激光器腔镜制备方法
	吴建耀; 宋克昌; 杨国文
	2015-02-25
专利权人	西安立芯光电科技有限公司
公开日期	2015-02-25
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明属于半导体表面改性技术领域，具体涉及一种半导体激光器腔镜制备方法，包括以下步骤：步骤一，清洁；步骤二，钝化改性；步骤三，介质膜镀膜；步骤四，翻转，重复步骤一到步骤三，步骤五,移出；该半导体激光器腔镜改性方法，可以兼容化学和物理表面改性技术，提高了表面处理的选择性和完整性；使表面清洁，钝化改性和双面腔镜介质膜镀膜在同一真空腔中一次完成，减少了样品进出操作次数和可能带来的污染和损坏，提高了成本率，并极大提高了生产效率；本方法在同一设备基础上集成了表面清洁，改性钝化和介质膜技术，使表面处理各步骤建立了无缝衔接，提高了成品的性能以及成品率；更进一步，双端面介质膜腔镜的处理也一步完成，更强化了生产效率和质量稳定性；本方法适合批量处理，生产效率高，综合成本低。
其他摘要	本发明属于半导体表面改性技术领域，具体涉及一种半导体激光器腔镜制备方法，包括以下步骤：步骤一，清洁；步骤二，钝化改性；步骤三，介质膜镀膜；步骤四，翻转，重复步骤一到步骤三，步骤五,移出；该半导体激光器腔镜改性方法，可以兼容化学和物理表面改性技术，提高了表面处理的选择性和完整性；使表面清洁，钝化改性和双面腔镜介质膜镀膜在同一真空腔中一次完成，减少了样品进出操作次数和可能带来的污染和损坏，提高了成本率，并极大提高了生产效率；本方法在同一设备基础上集成了表面清洁，改性钝化和介质膜技术，使表面处理各步骤建立了无缝衔接，提高了成品的性能以及成品率；更进一步，双端面介质膜腔镜的处理也一步完成，更强化了生产效率和质量稳定性；本方法适合批量处理，生产效率高，综合成本低。
申请日期	2014-11-14
专利号	CN104377543A
专利状态	授权
申请号	CN201410643677.7
公开（公告）号	CN104377543A
IPC 分类号	H01S5/028 \| C23C14/22
专利代理人	张超
代理机构	西安智萃知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91473
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安立芯光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	吴建耀,宋克昌,杨国文. 一种半导体激光器腔镜制备方法. CN104377543A[P]. 2015-02-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104377543A.PDF（764KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文