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窒化物半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009302456A, 申请日期: 2009-12-24, 公开日期: 2009-12-24
发明人:  田村 聡之
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009302474A, 申请日期: 2009-12-24, 公开日期: 2009-12-24
发明人:  村田 誠;  松村 篤志
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半導体光機能素子とその製造方法および電界吸収型光変調器集積半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009295879A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17
发明人:  高橋 博之;  中村 幸治;  久保田 宗親
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009295761A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17
发明人:  持田 篤範;  長谷川 義晃
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009296018A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17
发明人:  御友 重吾;  成井 啓修
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光源ヘッド、及び画像形成装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009286048A, 申请日期: 2009-12-10, 公开日期: 2009-12-10
发明人:  鈴木 貞一
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半導体レーザ装置とその製造方法、及び半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009290122A, 申请日期: 2009-12-10, 公开日期: 2009-12-10
发明人:  杉浦 勝己
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光走査装置、画像形成装置および光走査方法、半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009282081A, 申请日期: 2009-12-03, 公开日期: 2009-12-03
发明人:  吉田 洋平;  田中 智毅
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面発光レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009283920A, 申请日期: 2009-12-03, 公开日期: 2009-12-03
发明人:  内田 武志;  長友 靖浩;  堀 雄一郎;  井久田 光弘
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窒化物半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009283511A, 申请日期: 2009-12-03, 公开日期: 2009-12-03
发明人:  佐藤 智也;  高山 徹;  粂 雅博;  木戸口 勲
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