Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体発光装置 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光装置 |
| 田村 聡之 | |
| 2009-12-24 | |
| 专利权人 | パナソニック株式会社 |
| 公开日期 | 2009-12-24 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】発振閾値電流の変動を抑えた埋め込み型の半導体発光装置を実現できるようにする。 【解決手段】窒化物半導体発光装置は、基板11の上に形成され、順次積層されたn型クラッド層13、活性層15、電子障壁層16、電流狭窄層18及びp型クラッド層19を含み、電流狭窄層18の一部が除去されたストライプ状の電流注入部24を有する窒化物半導体の積層構造27を備えている。積層構造27は、電流注入部24の少なくとも一方の側方の領域に形成された凹部27aを有している。凹部27aの底面は、電子障壁層16の下面よりも上側に位置する。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供抑制振荡阈值电流变化的嵌入型氮化物半导体发光器件。 ŽSOLUTION：该氮化物半导体发光器件具有形成在基板11上的氮化物半导体的层叠结构27，并且包括n型覆层13，有源层15，电子阻挡层16，电流 - 缩小层18和p型覆盖层19，所有这些层依次层叠并具有条状电流注入部分24，其中一部分电流窄化层18被去除。层叠结构27具有凹陷部分27a，其至少形成在电流注入部分24的一侧上的区域中。凹陷部分27a的底面相对于电子阻挡层16的下表面位于较高侧。 .Ž |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 2008-06-17 |
| 专利号 | JP2009302456A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2008157858 |
| 公开（公告）号 | JP2009302456A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 前田 弘 | 竹内 宏 | 嶋田 高久 | 竹内 祐二 | 今江 克実 | 藤田 篤史 | 二宮 克也 | 原田 智雄 | 井関 勝守 | 関 啓 | 杉浦 靖也 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65798 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パナソニック株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田村 聡之. 窒化物半導体発光装置. JP2009302456A[P]. 2009-12-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2009302456A.PDF（74KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [田村 聡之]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [田村 聡之]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [田村 聡之]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论