半導体発光素子及びその製造方法

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	半導体発光素子及びその製造方法
其他题名	半導体発光素子及びその製造方法
	村田誠; 松村篤志
	2009-12-24
专利权人	住友電気工業株式会社
公开日期	2009-12-24
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】半絶縁性の埋め込み層を有する電気抵抗の低い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子10は、活性層18及びp型クラッド層54を含む半導体メサ52と、半導体メサ52を埋め込む半絶縁性の埋め込み層56とを備える。活性層18及びp型クラッド層54は、Z方向に積層されている。p型クラッド層54は、活性層18と半導体メサ52の頂面52tとの間に配置されている。p型クラッド層54及び埋め込み層56はp型の第1ドーパントを含むIII-V族化合物半導体からなる。p型クラッド層54では、Z方向において、活性層18から半導体メサ52の頂面52tに向かうに従って、第1ドーパントの濃度が高くなっている。埋め込み層56では、Z方向において、活性層18から半導体メサ52の頂面52tに向かうに従って、第2ドーパントの濃度が高くなっている。【選択図】図1
其他摘要	提供了一种具有半绝缘埋层并具有低电阻的半导体发光器件及其制造方法。半导体发光器件包括：半导体台面，包括有源层和p型覆层;以及半绝缘掩埋层，掩埋半导体台面。有源层18和p型包覆层54沿Z方向堆叠。 p型包覆层54设置在有源层18和半导体台面52的顶表面52t之间。 p型包覆层54和掩埋层56由包含p型第一掺杂剂的III-V族化合物半导体制成。在p型包覆层54中，第一掺杂剂的浓度在Z方向上从有源层18朝向半导体台面52的顶表面52t增加。在掩埋层56中，第二掺杂剂的浓度在Z方向上从有源层18朝向半导体台面52的顶表面52t增加。点域1
申请日期	2008-06-17
专利号	JP2009302474A
专利状态	失效
申请号	JP2008158163
公开（公告）号	JP2009302474A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/00
专利代理人	長谷川芳樹 \| 寺崎史朗 \| 黒木義樹 \| 近藤伊知良 \| 戸津洋介
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78888
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	住友電気工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	村田誠,松村篤志. 半導体発光素子及びその製造方法. JP2009302474A[P]. 2009-12-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2009302474A.PDF（69KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文