Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 持田 篤範; 長谷川 義晃 | |
| 2009-12-17 | |
| 专利权人 | PANASONIC CORP |
| 公开日期 | 2009-12-17 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】デバイス特性の向上を実現することを目的とする。 【解決手段】半導体レーザ素子において、出射端面近傍に基板材料と屈折率差の大きい誘電体材料を設け、同時に、出射端面近傍以外に基板材料と同程度に高い屈折率を有する誘電体を設けることにより、大きな水平広がり角、すなわち低アスペクト比のFFPを実現できると共に高いキンクレベルを実現できる。また、出射端面近傍のリッジ導波路112上面に誘電体材料を設けることにより、端面破壊レベルの向上を実現できる。さらに、出射端面近傍のリッジ導波路112上面に電極を備えることにより、局部的な乱れが低減されたFFP形状を実現することが可能となる。このように、デバイス特性の向上を実現することが可能となる。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题要实现器件特性的改善。 解决方案：在半导体激光器件中，在发射端面附近提供与基板材料具有大的折射率差的介电材料，同时，在发射端面附近提供折射率与基板材料的折射率一样高的介电材料。 ，可以实现具有大水平扩展角的FFP，即，低纵横比并实现高扭结水平。此外，通过在发射端面附近的脊形波导112的上表面上提供介电材料，可以改善端面击穿水平。此外，通过在出口端面附近的脊形波导112的上表面上设置电极，可以实现局部干扰减小的FFP形状。以这种方式，可以实现器件特性的改善。 点域1 |
| 申请日期 | 2008-06-05 |
| 专利号 | JP2009295761A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2008147521 |
| 公开（公告）号 | JP2009295761A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 原田 洋平 | 森本 義弘 | 笹原 敏司 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77513 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PANASONIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 持田 篤範,長谷川 義晃. 半導体レーザ素子. JP2009295761A[P]. 2009-12-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2009295761A.PDF（209KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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