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表面発光型半導体素子アレイ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006351799A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28
发明人:  植木 伸明;  櫻井 淳;  手塚 弘明;  井上 晃孝
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半導体レーザ及びその製造方法。 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006351784A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28
发明人:  内田 陽三;  中島 健二;  河本 清時;  口野 啓史;  中西 寿美代
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単一のELOG成長により形成される横方向のp-n接合を有する窒化物半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006352133A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28
发明人:  デイビッド·ボーア;  スコット·ダブリュー·コーザイン
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GaN系レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006352159A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28
发明人:  近江 晋;  伊藤 茂稔;  大野 智輝;  川上 俊之
Adobe PDF(203Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2020/01/18
光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006339486A, 申请日期: 2006-12-14, 公开日期: 2006-12-14
发明人:  佐藤 淳史
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반도체 레이저 장치의 제조 방법 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: KR1020060127845A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13
发明人:  미야치마모루;  기무라요시노리;  지쿠마기요후미
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006332452A, 申请日期: 2006-12-07, 公开日期: 2006-12-07
发明人:  阪田 昌彦;  横田 誠;  曽我部 隆一
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006303521A, 申请日期: 2006-11-02, 公开日期: 2006-11-02
发明人:  舟橋 政樹;  谷津 亮介;  粕川 秋彦
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光伝送システムおよびその光源 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006295496A, 申请日期: 2006-10-26, 公开日期: 2006-10-26
发明人:  清水 智弥;  家田 浩司
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006295056A, 申请日期: 2006-10-26, 公开日期: 2006-10-26
发明人:  森 淳;  細羽 弘之
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