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Semiconductor laser device having clad and contact layers respectively doped with Mg and method for fabricating the same 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6009113, 申请日期: 1999-12-28, 公开日期: 1999-12-28
发明人:  MORIMOTO, TAIJI;  SHIBATA, ZENKICHI;  ISHIZUMI, TAKASHI;  MIYAZAKI, KEISUKE;  HATA, TOSHIO;  OHITSU, YOSHINORI
Adobe PDF(262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2019/12/26
Laser diode package 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6008529, 申请日期: 1999-12-28, 公开日期: 1999-12-28
发明人:  WU, JIAHN-CHANG
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Optimierung der Emissionscharakteristik eines Lasers mit externem Resonator 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: DE69419999T2, 申请日期: 1999-12-16, 公开日期: 1999-12-16
发明人:  BRAUN,DAVID M.;  FOUQUET,JULIE E.
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半導体レーザ保護装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3011238B2, 申请日期: 1999-12-10, 公开日期: 2000-02-21
发明人:  朝田 賢一郎
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Radiation emitter component 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5999552, 申请日期: 1999-12-07, 公开日期: 1999-12-07
发明人:  BOGNER, GEORG;  BRUNNER, HERBERT;  HAAS, HEINZ;  LUFT, JOHANN;  NIRSCHL, ERNST;  SPAETH, WERNER;  STATH, NORBERT;  TEICH, WOLFGANG
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Semiconductor laser 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5995528, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30
发明人:  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  WADA, MITSUGU
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Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5987048, 申请日期: 1999-11-16, 公开日期: 1999-11-16
发明人:  ISHIKAWA, MASAYUKI;  YAMAMOTO, MASAHIRO;  NUNOUE, SHINYA;  NISHIO, JOHJI;  HATAKOSHI, GENICHI;  FUJIMOTO, HIDETOSHI
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分布帰還型半導体レーザ及び単一モード光源 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999317564A, 申请日期: 1999-11-16, 公开日期: 1999-11-16
发明人:  東門 領一;  森 浩;  高橋 良夫;  菊川 知之
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3002526B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24
发明人:  内田 憲治;  山下 茂雄;  中塚 慎一;  梶村 俊
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半導体レーザ駆動装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3001016B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-17
发明人:  佐藤 直幸
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