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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2847702B2, 申请日期: 1998-11-06, 公开日期: 1999-01-20
发明人:  池田 昌夫;  中野 一志;  戸田 淳
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2828706B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25
发明人:  山内 英樹
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Optical functional amplifying method and optical functional amplifying device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP0853397A2, 申请日期: 1998-07-15, 公开日期: 1998-07-15
发明人:  YOKOYAMA, HIROYUKI
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Semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: EP0493125B1, 申请日期: 1998-05-27, 公开日期: 1998-05-27
发明人:  IRIKAWA, MICHINORI, THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD;  IWASE, MASAYUKI, THE FURUKAWA ELECTRIC CO. LTD.,
收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor light-emitting device and production method thereof 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5751013, 申请日期: 1998-05-12, 公开日期: 1998-05-12
发明人:  KIDOGUCHI, ISAO;  ADACHI, HIDETO;  ISHIBASHI, AKIHIKO;  OHNAKA, KIYOSHI;  BAN, YUZABURO;  KUBO, MINORU
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超短パルスレーザ光発生装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2760451B2, 申请日期: 1998-03-20, 公开日期: 1998-05-28
发明人:  広瀬 正則
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面形発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2744503B2, 申请日期: 1998-02-06, 公开日期: 1998-04-28
发明人:  川上 剛司;  山本 喜久;  小暮 攻;  岡安 雅信;  上原 信吾
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