Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor light-emitting device and production method thereof | |
其他题名 | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
KIDOGUCHI, ISAO; ADACHI, HIDETO; ISHIBASHI, AKIHIKO; OHNAKA, KIYOSHI; BAN, YUZABURO; KUBO, MINORU | |
1998-05-12 | |
专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
公开日期 | 1998-05-12 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | PCT No. PCT/JP95/01447 Sec. 371 Date Mar. 21, 1996 Sec. 102(e) Date Mar. 21, 1996 PCT Filed Jul. 20, 1995 PCT Pub. No. WO96/03776 PCT Pub. Date Feb. 8, 1996A semiconductor light-emitting device with a double hetero structure, including: an active layer made of Ga1-xInxN (0=x=0.3) doped with a p-type impurity and an n-type impurity; and first and second cladding layers provided so as to sandwich the active layer. |
其他摘要 | PCT No.PCT / JP95 / 01447 Sec。371日期1996年3月21日102(e)日期1996年3月21日PCT提交1995年7月20日PCT Pub。No. WO96 / 03776 PCT Pub。日期:1996年2月8日具有双异质结构的半导体发光器件,包括:由掺杂有p型杂质的Ga1-xInxN(0 = x <= 0.3)制成的有源层和n型不纯;第一和第二包层设置成夹住有源层。 |
申请日期 | 1995-07-20 |
专利号 | US5751013 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | US08/619483 |
公开(公告)号 | US5751013 |
IPC 分类号 | H01L33/00 | H01S5/323 | H01S5/00 | H01S5/30 | H01S5/327 | H01S5/042 | H01S5/022 | H01S5/20 | H01L33/02 | H01L33/06 | H01L33/32 | H01L33/36 | H01L33/64 | H01S5/02 | H01S5/024 | H01S5/16 | H01S5/223 | H01S3/19 |
专利代理人 | - |
代理机构 | RATNER & PRESTIA |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83015 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
推荐引用方式 GB/T 7714 | KIDOGUCHI, ISAO,ADACHI, HIDETO,ISHIBASHI, AKIHIKO,et al. Semiconductor light-emitting device and production method thereof. US5751013[P]. 1998-05-12. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
US5751013.PDF(594KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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