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Optical and structural properties of self-assembled ZnO QD chains by L-MBE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 303, 期号: 2, 页码: 407-413
作者:  Bi Zhen;  Zhang Jingwen;  Yang Xiaodong;  Wang Dong;  Zhang Xin'an;  Weifeng, Zhang;  Hou Xun
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Low Dimensional Structures  Laser Epitaxy  Semiconducting Ii-vi Materials  
Glancing-incidence X-ray analysis of ZnO thin films and ZnO/ZnMgO hetero structures grown by laser-MBE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 284, 期号: 1-2, 页码: 123-128
作者:  Yang, XD;  Zhang, JW;  Bi, Z;  He, YN;  Xu, Q;  Wang, HB;  Zhang, WF;  Hou, X
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Glancing Incidence X-ray Analysis  Time-integrated Photoluminescence  X-ray Reflectivity  Laser Mbe  
High-quality GaN grown by gas-source MBE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 386-389
作者:  Wang, JX;  Sun, DZ;  Wang, XL;  Li, JM;  Zeng, YP;  Hou, X;  Lin, LY
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Characterization  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Compounds  Nitrides  Piezoelectric Materials  Semiconducting Gallium Compounds  
Study of GSMBE growth and characteristics of high-quality strained In0.63Ga0.37As/InP quantum wells 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 180, 期号: 1, 页码: 22-26
作者:  Wang, XL;  Sun, DZ;  Kong, MY;  Hou, X;  Zeng, YP
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Quantum Wells  Gsmbe  Ingaas/inp  Photoluminescence