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Study of Temperature Effects on the Design of Active Region for 808 nm High-Power Semiconductor Laser 期刊论文
CRYSTALS, 2023, 卷号: 13, 期号: 1
作者:  Wu, Shunhua;  Li, Te;  Wang, Zhenfu;  Chen, Lang;  Zhang, Jiachen;  Zhang, Junyue;  Liu, Jiachen;  Zhang, Yeqi;  Deng, Liting
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semiconductor laser  temperature effects  carrier confinement  internal quantum efficiency  
808 nm broad-area laser diodes designed for high efficiency at high-temperature operation 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 10
作者:  Lan, Yu;  Yang, Guowen;  Liu, Yuxian;  Zhao, Yuliang;  Wang, Zhenfu;  Li, Te;  Demir, Abdullah
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semiconductor laser  laser diode  high power  high efficiency  808 nm  
High-power operation and lateral divergence angle reduction of broad-area laser diodes at 976 nm 期刊论文
Optics and Laser Technology, 2021, 卷号: 141
作者:  Liu, Yuxian;  Yang, Guowen;  Wang, Zhenfu;  Li, Te;  Tang, Song;  Zhao, Yuliang;  Lan, Yu;  Demir, Abdullah
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Semiconductor laser  Diode laser  High power  High efficiency  Low divergence angle  High brightness  976 nm