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使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025799B, 申请日期: 2019-04-19, 公开日期: 2019-04-19
发明人:  郑政玮;  E·里欧班端;  李宁;  D·K·萨达纳;  徐崑庭
Adobe PDF(1419Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2019/12/26
使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025799B, 申请日期: 2019-04-19, 公开日期: 2019-04-19
发明人:  郑政玮;  E·里欧班端;  李宁;  D·K·萨达纳;  徐崑庭
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Resonant cavity strained Group III-V photodetector and LED on silicon substrate and method to fabricate same 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US10135226, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2018-11-20
发明人:  CHENG, CHENG-WEI;  LEOBANDUNG, EFFENDI;  LI, NING;  SADANA, DEVENDRA K.;  SHIU, KUEN-TING
Adobe PDF(811Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2019/12/24
一种VCSEL同轴封装镭射二极体模组 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN204333599U, 申请日期: 2015-05-13, 公开日期: 2015-05-13
发明人:  李宁;  冯伟
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半导体硅太赫兹激光源器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101252255A, 申请日期: 2008-08-27, 公开日期: 2008-08-27
发明人:  陆卫;  余晨辉;  张波;  李天信;  陈平平;  李宁;  李志锋;  陈效双
Adobe PDF(312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2020/01/18
氮化镓基圆盘式单色光源列阵 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100401544C, 申请日期: 2008-07-09, 公开日期: 2008-07-09
发明人:  陆卫;  王少伟;  夏长生;  李志锋;  张波;  李宁;  陈效双;  陈明法
Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2019/12/26
氮化镓基光子晶体激光二极管 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100355160C, 申请日期: 2007-12-12, 公开日期: 2007-12-12
发明人:  陆卫;  王少伟;  夏长生;  李宁;  李志锋;  张波;  陈平平;  陈效双;  陈明法
Adobe PDF(296Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：102/0  |  提交时间：2019/12/24
一种用于氮化镓外延生长的复合衬底 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1298020C, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2007-01-31
发明人:  陆卫;  夏长生;  李志锋;  李宁;  张波;  王少伟;  陈平平;  陈效双;  陈明法
Adobe PDF(258Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2019/12/24
窄带通滤光片式的太赫兹量子阱相干光源芯片 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1297837C, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2007-01-31
发明人:  陆卫;  周旭昌;  王少伟;  陈效双;  陈贵宾;  李宁;  李志锋
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量子阱太赫兹多波段集成相干光源芯片及制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1290238C, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13
发明人:  陆卫;  周旭昌;  陈效双;  陈贵宾;  王少伟;  李宁;  李志锋
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