氮化镓基圆盘式单色光源列阵

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	氮化镓基圆盘式单色光源列阵
其他题名	氮化镓基圆盘式单色光源列阵
	陆卫; 王少伟; 夏长生; 李志锋; 张波; 李宁; 陈效双; 陈明法
	2008-07-09
专利权人	中国科学院上海技术物理研究所
公开日期	2008-07-09
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明的氮化镓基圆盘式单色光源列阵包括：衬底，在衬底上置底牢固结合的光子晶体微腔和波导结构。光子晶体微腔和波导结构是由在景介质材料上通过刻蚀的方法形成一系列周期性排列并含有特定缺陷的圆柱形空气柱构成的。背景介质材料由依次排列生长的n-GaN下电极层、InGaN/GaN量子阱结构或AlGaN/InGaN异质结结构的发光层和p-GaN上电极层组成。氮化镓作为光源发出宽度为几十纳米的某个波段的光，而含有不同线缺陷的光子晶体波导则可以近乎无损地把这个波段内的单色光分别耦合到圆盘四周，形成圆盘式的单色光源列阵。利用这种结构可以近乎无损地从微腔中耦合出单色性很好的单色光，甚至可以实现直角拐弯，形成一种结构紧凑的单色光源列阵。
其他摘要	本发明的氮化镓基圆盘式单色光源列阵包括：衬底，在衬底上置底牢固结合的光子晶体微腔和波导结构。光子晶体微腔和波导结构是由在景介质材料上通过刻蚀的方法形成一系列周期性排列并含有特定缺陷的圆柱形空气柱构成的。背景介质材料由依次排列生长的n-GaN下电极层、InGaN/GaN量子阱结构或AlGaN/InGaN异质结结构的发光层和p-GaN上电极层组成。氮化镓作为光源发出宽度为几十纳米的某个波段的光，而含有不同线缺陷的光子晶体波导则可以近乎无损地把这个波段内的单色光分别耦合到圆盘四周，形成圆盘式的单色光源列阵。利用这种结构可以近乎无损地从微腔中耦合出单色性很好的单色光，甚至可以实现直角拐弯，形成一种结构紧凑的单色光源列阵。
申请日期	2006-06-30
专利号	CN100401544C
专利状态	失效
申请号	CN200610028490.1
公开（公告）号	CN100401544C
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01L27/15 \| H01S5/00
专利代理人	郭英
代理机构	上海智信专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47892
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海技术物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陆卫,王少伟,夏长生,等. 氮化镓基圆盘式单色光源列阵. CN100401544C[P]. 2008-07-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN100401544C.PDF（255KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文