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半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装
其他题名半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装
成演准; 姜基晩; 金珉成; 朴修益; 李容京; 李恩得; 林显修
2019-06-21
专利权人LG伊诺特有限公司
公开日期2019-06-21
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要在一个实施例中公开了一种半导体器件,包括:发光结构,包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层;第一电极,与第一导电半导体层电连接;第二电极,与第二导电半导体层电连接;反射层,设置在第二电极上;以及覆盖层,设置在反射层上并包括多个层,其中,覆盖层包括直接设置在所述反射层上的第一层,并且第一层包括Ti。
其他摘要在一个实施例中公开了一种半导体器件,包括:发光结构,包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层;第一电极,与第一导电半导体层电连接;第二电极,与第二导电半导体层电连接;反射层,设置在第二电极上;以及覆盖层,设置在反射层上并包括多个层,其中,覆盖层包括直接设置在所述反射层上的第一层,并且第一层包括Ti。
申请日期2017-11-03
专利号CN109923682A
专利状态申请中
申请号CN201780068543.9
公开(公告)号CN109923682A
IPC 分类号H01L33/02 | H01L33/36 | H01L33/22 | H01L33/48 | H01L33/10 | H01L33/42
专利代理人石海霞 | 李玉锁
代理机构隆天知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72883
专题半导体激光器专利数据库
作者单位LG伊诺特有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
成演准,姜基晩,金珉成,等. 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装. CN109923682A[P]. 2019-06-21.
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CN109923682A.PDF(3257KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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