Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装 | |
其他题名 | 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装 |
成演准; 姜基晩; 金珉成; 朴修益; 李容京; 李恩得; 林显修 | |
2019-06-21 | |
专利权人 | LG伊诺特有限公司 |
公开日期 | 2019-06-21 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 在一个实施例中公开了一种半导体器件,包括:发光结构,包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层;第一电极,与第一导电半导体层电连接;第二电极,与第二导电半导体层电连接;反射层,设置在第二电极上;以及覆盖层,设置在反射层上并包括多个层,其中,覆盖层包括直接设置在所述反射层上的第一层,并且第一层包括Ti。 |
其他摘要 | 在一个实施例中公开了一种半导体器件,包括:发光结构,包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层;第一电极,与第一导电半导体层电连接;第二电极,与第二导电半导体层电连接;反射层,设置在第二电极上;以及覆盖层,设置在反射层上并包括多个层,其中,覆盖层包括直接设置在所述反射层上的第一层,并且第一层包括Ti。 |
申请日期 | 2017-11-03 |
专利号 | CN109923682A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201780068543.9 |
公开(公告)号 | CN109923682A |
IPC 分类号 | H01L33/02 | H01L33/36 | H01L33/22 | H01L33/48 | H01L33/10 | H01L33/42 |
专利代理人 | 石海霞 | 李玉锁 |
代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72883 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | LG伊诺特有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 成演准,姜基晩,金珉成,等. 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装. CN109923682A[P]. 2019-06-21. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN109923682A.PDF(3257KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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