Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法 | |
| 其他题名 | MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法 |
| 徐军; 周圣明; 杨卫桥; 彭观良; 李抒智; 周国清; 宋词; 杭寅; 蒋成勇; 赵广军; 司继良 | |
| 2005-07-13 | |
| 专利权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 公开日期 | 2005-07-13 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法，该复合衬底材料是在MgO单晶上设有一层MgIn2O4覆盖层构成。该复合衬底材料的制备方法是：先利用脉冲激光淀积方法在MgO单晶衬底上制备In2O3薄膜，然后在高温下，通过In2O3与MgO的固相反应，在MgO单晶衬底上形成MgIn2O4覆盖层。本发明的复合衬底材料的制备工艺简单、易操作，此种结构的复合衬底(MgIn2O4/MgO)适合于高质量GaN的外延生长。 |
| 其他摘要 | 一种MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法，该复合衬底材料是在MgO单晶上设有一层MgIn2O4覆盖层构成。该复合衬底材料的制备方法是：先利用脉冲激光淀积方法在MgO单晶衬底上制备In2O3薄膜，然后在高温下，通过In2O3与MgO的固相反应，在MgO单晶衬底上形成MgIn2O4覆盖层。本发明的复合衬底材料的制备工艺简单、易操作，此种结构的复合衬底(MgIn2O4/MgO)适合于高质量GaN的外延生长。 |
| 申请日期 | 2003-07-29 |
| 专利号 | CN1210817C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN03141904.6 |
| 公开（公告）号 | CN1210817C |
| IPC 分类号 | H01L21/84 | H01L33/00 | H01L33/02 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 张泽纯 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49221 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐军,周圣明,杨卫桥,等. MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法. CN1210817C[P]. 2005-07-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1210817C.PDF（475KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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