Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal

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	Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal
其他题名	Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal
	WANG, TZU-YU; KIM, JIN K.; KWON, HOKI; PARK, GYOUNGWON; RYOU, JAE-HYUN
	2007-10-23
专利权人	FINISAR CORPORATION
公开日期	2007-10-23
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) structure includes a bottom distributed Bragg reflector (DBR) arranged over a substrate; a metal layer interposed between the bottom DBR and the substrate, wherein the metal layer and bottom DBR form a composite mirror structure. A patterned dielectric layer may be interposed between the metal layer and the bottom DBR to reduce a deleterious chemical reaction between the metal layer and the bottom DBR. The metal layer directly contacts a portion of the bottom DBR to enhance the electrical and thermal conductivity of the VCSEL structure.
其他摘要	垂直腔表面发射激光器（VCSEL）结构包括布置在衬底上的底部分布布拉格反射器（DBR）;金属层介于底部DBR和基板之间，其中金属层和底部DBR形成复合镜结构。可以在金属层和底部DBR之间插入图案化的介电层，以减少金属层和底部DBR之间的有害化学反应。金属层直接接触底部DBR的一部分，以增强VCSEL结构的导电性和导热性。
申请日期	2004-12-08
专利号	US7286584
专利状态	失效
申请号	US11/007081
公开（公告）号	US7286584
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/08 \| H01S5/187
专利代理人	-
代理机构	WORKMAN NYDEGGER
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48705
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FINISAR CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	WANG, TZU-YU,KIM, JIN K.,KWON, HOKI,et al. Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal. US7286584[P]. 2007-10-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7286584.PDF（275KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文