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Studies on deep levels in GaAs epilayers grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition .4. 0.96 eV photoluminescence emission 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, 1996, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 189-191
作者:  Liang, JC;  Zhao, JL;  Gao, Y;  Dou, K;  Huang, SH;  Yu, JQ;  Gao, HK
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