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III-N device structures and methods 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US9224671, 申请日期: 2015-12-29, 公开日期: 2015-12-29
发明人:  PARIKH, PRIMIT;  DORA, YUVARAJ;  WU, YIFENG;  MISHRA, UMESH;  FICHTENBAUM, NICHOLAS;  LAL, RAKESH K.
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Interdigitated multiple pixel arrays of light-emitting devices 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20150294960A1, 申请日期: 2015-10-15, 公开日期: 2015-10-15
发明人:  CHAKRABORTY, ARPAN;  SHEN, LIKUN;  MISHRA, UMESH K.
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/12/30
Iii-n device structures and methods 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20150041861A1, 申请日期: 2015-02-12, 公开日期: 2015-02-12
发明人:  PARIKH, PRIMIT;  DORA, YUVARAJ;  WU, YIFENG;  MISHRA, UMESH;  FICHTENBAUM, NICHOLAS;  LAL, RAKESH K.
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/12/30
Method for fabricating group-III nitride devices and devices fabricated using method 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7332365, 申请日期: 2008-02-19, 公开日期: 2008-02-19
发明人:  NAKAMURA, SHUJI;  DENBAARS, STEVEN;  EDMOND, JOHN;  SWOBODA, CHUCK;  MISHRA, UMESH
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Semiconductor devices based on coalesced nano-rod arrays 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20060223211A1, 公开日期: 2006-10-05
发明人:  MISHRA, UMESH KUMAR;  KELLER, STACIA
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Dual surface-roughened n-face high-brightness LED 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2008121978A1, 公开日期: 2008-10-09
发明人:  MISHRA, UMESH KUMAR;  GRUNDMANN, MICHAEL;  DENBAARS, STEVEN P.;  NAKAMURA, SHUJI
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Method to achieve active p-type layer/layers in iii-nitride epitaxial or device structures having buried p-type layers 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2017180633A1, 公开日期: 2017-10-19
发明人:  ENATSU, YUUKI;  GUPTA, CHIRAG;  KELLER, STACIA;  MISHRA, UMESH K.;  AGARWAL, ANCHAL
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