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GAAS基半导体结构上的氧化层及其形成方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1333445C, 申请日期: 2007-08-22, 公开日期: 2007-08-22
发明人:  马提亚斯·帕斯莱克;  小尼古拉斯·威廉·梅登多普
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