GAAS基半导体结构上的氧化层及其形成方法

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	GAAS基半导体结构上的氧化层及其形成方法
其他题名	GAAS基半导体结构上的氧化层及其形成方法
	马提亚斯·帕斯莱克; 小尼古拉斯·威廉·梅登多普
	2007-08-22
专利权人	恩智浦美国有限公司
公开日期	2007-08-22
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种化合物半导体结构，包括位于支撑半导体结构(7)上的镓氧化物的第一层(8)，从而与之形成界面。在第一层上设置Ga-Gd氧化物的第二层(9)。GaAs基支撑半导体结构可以是GaAs基异质结构，如至少部分完成的半导体器件(例如金属氧化物场效应晶体管(430)、异质结双极晶体管(310)或半导体激光器)。按照这样的方式，由于介电结构由紧接着Ga-Gd氧化物层的Ga2O3层形成，提供了同时在氧化物-GaAs界面具有低缺陷密度和具有低氧化物漏电流密度的介电层结构。Ga2O3层用于形成与GaAs基支撑半导体结构的高质量界面，同时Ga-Gd氧化物提供低氧化物漏电流密度。
其他摘要	一种化合物半导体结构，包括位于支撑半导体结构(7)上的镓氧化物的第一层(8)，从而与之形成界面。在第一层上设置Ga-Gd氧化物的第二层(9)。GaAs基支撑半导体结构可以是GaAs基异质结构，如至少部分完成的半导体器件(例如金属氧化物场效应晶体管(430)、异质结双极晶体管(310)或半导体激光器)。按照这样的方式，由于介电结构由紧接着Ga-Gd氧化物层的Ga2O3层形成，提供了同时在氧化物-GaAs界面具有低缺陷密度和具有低氧化物漏电流密度的介电层结构。Ga2O3层用于形成与GaAs基支撑半导体结构的高质量界面，同时Ga-Gd氧化物提供低氧化物漏电流密度。
申请日期	2002-12-18
专利号	CN1333445C
专利状态	授权
申请号	CN02827682.5
公开（公告）号	CN1333445C
IPC 分类号	H01L21/316 \| C23C14/08 \| C30B23/02 \| C30B29/16 \| H01L21/28 \| H01L21/31 \| H01L29/423 \| H01L29/51
专利代理人	王永刚
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48882
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	恩智浦美国有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	马提亚斯·帕斯莱克,小尼古拉斯·威廉·梅登多普. GAAS基半导体结构上的氧化层及其形成方法. CN1333445C[P]. 2007-08-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1333445C.PDF（617KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文