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等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110176398A, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27
发明人:  张鹏;  许聪基;  赖铭智
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