等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法
其他题名	等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法
	张鹏; 许聪基; 赖铭智
	2019-08-27
专利权人	苏州长瑞光电有限公司
公开日期	2019-08-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种等离子体刻蚀方法，用于消除砷化镓基体表面钝化层，所述钝化层包含氧化铝层，使用碳基氟化物气体作为刻蚀气体。针对GaAs基体表面钝化层中氧化铝膜的刻蚀难题，本发明人通过大量研究实验发现以碳基氟化物气体作为刻蚀气体来进行砷化镓基体表面氧化铝钝化层的刻蚀，既能快速有效地消除包含氧化铝的钝化层，又不会对砷化镓基体造成损伤。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器的制备方法。本发明创新性地提出用碳基氟化物气体作为刻蚀气体来进行砷化镓基体表面氧化铝钝化层的刻蚀，既能快速有效地消除包含氧化铝的钝化层，又不会对GaAs基体造成损伤，保证了半导体制造工艺的可靠性和稳定性。
其他摘要	本发明公开了一种等离子体刻蚀方法，用于消除砷化镓基体表面钝化层，所述钝化层包含氧化铝层，使用碳基氟化物气体作为刻蚀气体。针对GaAs基体表面钝化层中氧化铝膜的刻蚀难题，本发明人通过大量研究实验发现以碳基氟化物气体作为刻蚀气体来进行砷化镓基体表面氧化铝钝化层的刻蚀，既能快速有效地消除包含氧化铝的钝化层，又不会对砷化镓基体造成损伤。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器的制备方法。本发明创新性地提出用碳基氟化物气体作为刻蚀气体来进行砷化镓基体表面氧化铝钝化层的刻蚀，既能快速有效地消除包含氧化铝的钝化层，又不会对GaAs基体造成损伤，保证了半导体制造工艺的可靠性和稳定性。
主权项	一种等离子体刻蚀方法，用于消除砷化镓基体表面钝化层，所述钝化层包含氧化铝层，其特征在于，使用碳基氟化物气体作为刻蚀气体。
申请日期	2019-06-13
专利号	CN110176398A
专利状态	申请中
申请号	CN201910508459.5
公开（公告）号	CN110176398A
IPC 分类号	H01L21/311 \| H01S5/183 \| C09K13/00
专利代理人	杨楠
代理机构	北京德崇智捷知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55481
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长瑞光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张鹏,许聪基,赖铭智. 等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法. CN110176398A[P]. 2019-08-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110176398A.PDF（327KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文