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半导体激光器元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106030939A, 申请日期: 2016-10-12, 公开日期: 2016-10-12
发明人:  岩见正之;  石井宏辰;  岩井则广;  松田竹善;  粕川秋彦;  石川卓哉;  川北泰雅;  锻治荣作
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半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009088230A, 申请日期: 2009-04-23, 公开日期: 2009-04-23
发明人:  品川 達志;  石井 宏辰;  粕川 秋彦
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009032985A, 申请日期: 2009-02-12, 公开日期: 2009-02-12
发明人:  品川 達志;  石井 宏辰;  粕川 秋彦
Adobe PDF(163Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006303521A, 申请日期: 2006-11-02, 公开日期: 2006-11-02
发明人:  舟橋 政樹;  谷津 亮介;  粕川 秋彦
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006245605A, 申请日期: 2006-09-14, 公开日期: 2006-09-14
发明人:  舟橋 政樹;  谷津 亮介;  粕川 秋彦
Adobe PDF(158Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2020/01/13
具有載流子耗盡層的光學裝置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: HK1064747A, 申请日期: 2005-02-04, 公开日期: 2005-02-04
发明人:  池田成明;  山口武治;  荒川智志;  山中信光;  粕川秋彥;  中崎龟介
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具有载流子耗尽层的光学装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1487334A, 申请日期: 2004-04-07, 公开日期: 2004-04-07
发明人:  池田成明;  山口武治;  荒川智志;  山中信光;  粕川秋彦;  中琦龟介
Adobe PDF(884Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3276674B2, 申请日期: 2002-02-08, 公开日期: 2002-04-22
发明人:  岩井 則広;  粕川 秋彦
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001144371A, 申请日期: 2001-05-25, 公开日期: 2001-05-25
发明人:  山口 武治;  向原 智一;  粕川 秋彦
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001111169A, 申请日期: 2001-04-20, 公开日期: 2001-04-20
发明人:  岩井 則広;  舟橋 政樹;  向原 智一;  粕川 秋彦
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