Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器元件 | |
| 其他题名 | 半导体激光器元件 |
| 岩见正之; 石井宏辰; 岩井则广; 松田竹善; 粕川秋彦; 石川卓哉; 川北泰雅; 锻治荣作 | |
| 2016-10-12 | |
| 专利权人 | 古河电气工业株式会社 |
| 公开日期 | 2016-10-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的III族位中包含Al。由此，提供一种抑制半导体晶体的块体内的缺陷的产生且特性变动少的半导体激光器元件。 |
| 其他摘要 | 一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的III族位中包含Al。由此，提供一种抑制半导体晶体的块体内的缺陷的产生且特性变动少的半导体激光器元件。 |
| 主权项 | 一种半导体激光器元件，其具备活性层，该活性层具有由以As为V族的主成分的III-V族半导体晶体形成的阱层和势垒层，该半导体激光器元件的特征在于， 在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III-V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素， 在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III-V族半导体晶体的III族位中包含Al。 |
| 申请日期 | 2015-03-11 |
| 专利号 | CN106030939A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201580008004.7 |
| 公开（公告）号 | CN106030939A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 王亚爱 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65050 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩见正之,石井宏辰,岩井则广,等. 半导体激光器元件. CN106030939A[P]. 2016-10-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN106030939A.PDF（2205KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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