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GaSb基单管双区结构短脉冲激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106300016A, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2017-01-04
发明人:  张克露;  张宇;  牛智川
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