GaSb基单管双区结构短脉冲激光器及其制备方法

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	GaSb基单管双区结构短脉冲激光器及其制备方法
其他题名	GaSb基单管双区结构短脉冲激光器及其制备方法
	张克露; 张宇; 牛智川
	2017-01-04
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2017-01-04
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种GaSb基单管双区结构短脉冲激光器包括N型GaSb衬底，以及依次沉积在N型GaSb衬底上的N型GaSb缓冲层、N型AlGaAsSb下限制层、AlGaAsSb下波导层、有源区、AlGaAsSb上波导层、P型AlGaAsSb上限制层、P型GaSb上缓冲层。在窄脊形波导结构上方刻蚀两个电流注入窗口，分别向增益区和吸收区注入正向电流和反向偏压，两区集成在同一个芯片上形成单片双区结构，使得外延结构可以一次生长，省去了单独制备非线性可饱和吸收体的步骤。从而减少了传统Z型及X型光泵浦光路中光损耗问题，能够获得更大输出功率。本发明还提供一种GaSb基单管双区结构短脉冲激光器制备方法。
其他摘要	本发明提供一种GaSb基单管双区结构短脉冲激光器包括N型GaSb衬底，以及依次沉积在N型GaSb衬底上的N型GaSb缓冲层、N型AlGaAsSb下限制层、AlGaAsSb下波导层、有源区、AlGaAsSb上波导层、P型AlGaAsSb上限制层、P型GaSb上缓冲层。在窄脊形波导结构上方刻蚀两个电流注入窗口，分别向增益区和吸收区注入正向电流和反向偏压，两区集成在同一个芯片上形成单片双区结构，使得外延结构可以一次生长，省去了单独制备非线性可饱和吸收体的步骤。从而减少了传统Z型及X型光泵浦光路中光损耗问题，能够获得更大输出功率。本发明还提供一种GaSb基单管双区结构短脉冲激光器制备方法。
申请日期	2016-10-25
专利号	CN106300016A
专利状态	申请中
申请号	CN201610939768.4
公开（公告）号	CN106300016A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90714
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张克露,张宇,牛智川. GaSb基单管双区结构短脉冲激光器及其制备方法. CN106300016A[P]. 2017-01-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106300016A.PDF（144KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文