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一种新型半导体激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN206864864U, 申请日期: 2018-01-09, 公开日期: 2018-01-09
发明人:  王昱玺;  刘拓;  陈发涛;  潘彦廷;  王志强;  冯旭超;  陈怡婷;  马梦婕;  孙娟娟
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一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN206820250U, 申请日期: 2017-12-29, 公开日期: 2017-12-29
发明人:  卫思逸;  李马惠;  潘彦廷;  刘拓;  陈发涛;  冯旭超;  赵小亮;  杨旗;  韦盼;  孙娟娟
Adobe PDF(433Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：113/0  |  提交时间：2019/12/26