一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器

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	一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器
其他题名	一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器
	卫思逸; 李马惠; 潘彦廷; 刘拓; 陈发涛; 冯旭超; 赵小亮; 杨旗; 韦盼; 孙娟娟
	2017-12-29
专利权人	陕西源杰半导体技术有限公司
公开日期	2017-12-29
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器，包括衬底和设置在衬底底面的N面电极层，量子阱层包括端面对接的第一量子阱和第二量子阱；在同一结构层上具有相同厚度的两种量子阱结构，此结构的设计合理，能有效保证制造工艺的方便，前端工序仅需要生长一个单量子阱结构，在后端工序利用一系列常规工艺即可实现在同一结构层上由单量子阱结构变为双量子井结构；由于本实用新型的光吸收区为另外一种量子阱结构，因此发光区的光栅设计可以保持在最佳发光增值位置，达到最大出光强度，具有较低的阈值电流；另外由于发光区量子阱和光吸收区量子阱位于同一结构层，在界面出的光耦合损失非常低，光耦合效率近似100％，光开关状态间的明灭比较高，约为10dB左右。
其他摘要	本实用新型公开了一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器，包括衬底和设置在衬底底面的N面电极层，量子阱层包括端面对接的第一量子阱和第二量子阱；在同一结构层上具有相同厚度的两种量子阱结构，此结构的设计合理，能有效保证制造工艺的方便，前端工序仅需要生长一个单量子阱结构，在后端工序利用一系列常规工艺即可实现在同一结构层上由单量子阱结构变为双量子井结构；由于本实用新型的光吸收区为另外一种量子阱结构，因此发光区的光栅设计可以保持在最佳发光增值位置，达到最大出光强度，具有较低的阈值电流；另外由于发光区量子阱和光吸收区量子阱位于同一结构层，在界面出的光耦合损失非常低，光耦合效率近似100％，光开关状态间的明灭比较高，约为10dB左右。
申请日期	2017-06-12
专利号	CN206820250U
专利状态	授权
申请号	CN201720678138.6
公开（公告）号	CN206820250U
IPC 分类号	H01S5/34
专利代理人	徐文权
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49255
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	陕西源杰半导体技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	卫思逸,李马惠,潘彦廷,等. 一种具有同层双量子阱结构的电吸收激光器. CN206820250U[P]. 2017-12-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN206820250U.PDF（433KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文