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一种基于耦合混沌半导体激光器的全光逻辑门 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108535933A, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2018-09-14
发明人:  李齐良;  吴婷;  包琪;  陈德望;  胡淼;  周雪芳;  曾然;  杨淑娜;  唐向宏;  杨国伟
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Visible-extended mid-infrared wide spectrum detector based on InAs/GaSb type-II superlattices (T2SL) 期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 89, 页码: 147-153
作者:  Guo, Chunyan;  Sun, Yaoyao;  Jia, Zhe;  Jiang, Zhi;  Lv, Yuexi;  Hao, Hongyue;  Han, Xi;  Dong, Yinan;  Jiang, Dongwei;  Wang, Guowei;  Xu, Yingqiang;  Wang, Tao;  Tian, Jinshou;  Wu, Zhaoxin;  Niu, Zhichuan
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Wide Spectrum Detector  Microstructure  Inas/gasb Type-ii Superlattice  Photon Traps  
基于多面旋转棱镜的激光光栅条纹投射系统 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN206905716U, 申请日期: 2018-01-19, 公开日期: 2018-01-19
发明人:  杨国威;  石培杰;  黄喆;  王琦琦;  王以忠
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Surface passivation of 1550nm AlxInyAsSb avalanche photodiode 会议论文
Optoelectronic Devices and Integration VII, Beijing, China, 2018-10-11
作者:  Guo, Chunyan;  Lv, Yuexi;  Zheng, Da'nong;  Sun, Yaoyao;  Jiang, Zhi;  Jiang, Dongwei;  Wang, Guowei;  Xu, Yingqiang;  Wang, Tao;  Tian, Jinshou;  Wu, Zhaoxin;  Niu, Zhichuan
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Alxinyassb Avalanche Photodiode  Surface Passivation  Dark Current  Photocurrent